השוואת טלפונים חכמים: Highscreen Power Rage Evo מול Xiaomi Redmi Note 4X מול Samsung Galaxy Note8 SD835
| גודל המסך | 5 אינץ' |
|---|---|
| סוג המסך | IPS |
| שטח התצוגה | 67.63% |
| צפיפות המסך | 294 פיקסלים לאינץ' |
| עובי | 9.94 מ''מ |
| משקל | 168 גרם |
| מערכת ההפעלה | אנדרואיד 6.0 מרשמלו |
| פלטפורמה | MediaTek MT6737 |
| כמות ליבות במעבד | 4 ליבות |
| תדר המעבד | 1300 מגה-הרץ |
| זכרון | 3 ג'יגה-בית |
| אחסון | 16 ג'יגה-בית |
| סוג החיישן | CMOS ( מוליך למחצה אוקסיד מתכת) |
| רזולוציית תמונה | 9.96 מגה פיקסל |
| רזולוציית תמונה | 4.92 מגה פיקסל |
| קיבולת | 4000 mAh |
![[HK Stock] Xiaomi Redmi Note 4X, 3GB+16GB, Officia](/img/shop/3616.png)
| גודל המסך | 5.5 אינץ' |
|---|---|
| סוג המסך | IPS |
| שטח התצוגה | 72.9% |
| צפיפות המסך | 401 פיקסלים לאינץ' |
| עובי | 8.44 מ''מ |
| משקל | 165 גרם |
| מערכת ההפעלה | MIUI V8.2 (אנדרואיד 6.0.1 מרשמלו) MIUI V8.x (אנדרואיד 7.0 נוגט) MIUI V9 MIUI V10 |
| פלטפורמה | Qualcomm Snapdragon 625 MSM8953 |
| כמות ליבות במעבד | 8 ליבות |
| תדר המעבד | 2000 מגה-הרץ |
| זכרון | 3 ג'יגה-בית |
| אחסון | 16 ג'יגה-בית |
| סוג החיישן | CMOS ( מוליך למחצה אוקסיד מתכת) |
| רזולוציית תמונה | 12.98 מגה פיקסל |
| רזולוציית תמונה | 5.04 מגה פיקסל |
| קיבולת | 4100 mAh |
| גודל המסך | 6.3 אינץ' |
|---|---|
| סוג המסך | Super AMOLED |
| שטח התצוגה | 83.14% |
| צפיפות המסך | 522 פיקסלים לאינץ' |
| עובי | 8.6 מ''מ |
| משקל | 195 גרם |
| מערכת ההפעלה | אנדרואיד 7.1.1 נוגט. אנדרואיד 8.0 אוראו אנדרואיד 9.0 פאי |
| פלטפורמה | Qualcomm Snapdragon 835 MSM8998 |
| כמות ליבות במעבד | 8 ליבות |
| תדר המעבד | 2350 מגה-הרץ |
| זכרון | 6 ג'יגה-בית |
| אחסון | 64 ג'יגה-בית |
| סוג החיישן | CMOS ( מוליך למחצה אוקסיד מתכת) |
| רזולוציית תמונה | 12.19 מגה פיקסל |
| רזולוציית תמונה | 7.99 מגה פיקסל |
| קיבולת | 3300 mAh |