Порівнювати телефони та смартфони: HTC Desire 700 проти Highscreen Zera S Power проти Noa H9 проти Samsung Galaxy A10s
Розмір дисплею | 5 Дюйма |
---|---|
Тип дисплею | ТФТ |
Площа екрану | 66% |
Щільність дисплею | 220 PPI |
Товщина | 10.3 мм |
Вага | 149 Грам |
Операційна система | Андроїд 4.2.2 Желе Бін |
Soc | Процесор Snapdragon 200 MSM8225Q від Qualcomm |
Ядер Процесора | 4 Ядер |
Частота процесора | 1200 МГц |
ОЗП | 1 гігабайт |
ROM | 8 гігабайт |
Тип Датчика | CMOS BSI (заднє освітлення) |
Роздільна здатність зображення | 7.99 Мегапікселів |
Роздільна здатність зображення | 0 Мегапікселів |
Ємність | 2100 маг |
Розмір дисплею | 4.5 Дюйма |
---|---|
Тип дисплею | IPS |
Площа екрану | 61.92% |
Щільність дисплею | 245 PPI |
Товщина | 13.5 мм |
Вага | 145 Грам |
Операційна система | Андроїд 4.4.2 Kitkat |
Soc | MediaTek MT6582 |
Ядер Процесора | 4 Ядер |
Частота процесора | 1300 МГц |
ОЗП | 1 гігабайт |
ROM | 8 гігабайт |
Тип Датчика | КМОП (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник) |
Роздільна здатність зображення | 4.92 Мегапікселів |
Роздільна здатність зображення | 1.81 Мегапікселів |
Ємність | 4000 маг |
Розмір дисплею | 5.5 Дюйма |
---|---|
Тип дисплею | IPS |
Площа екрану | 76.59% |
Щільність дисплею | 401 PPI |
Товщина | 8 мм |
Вага | 180 Грам |
Операційна система | В Android 6.0.1 Зефір |
Soc | Медіатек Хеліо Р10 (MT6755) |
Ядер Процесора | 8 Ядер |
Частота процесора | 2000 МГц |
ОЗП | 4 гігабайт |
ROM | 32 гігабайт |
Тип Датчика | КМОП (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник) |
Роздільна здатність зображення | 12.98 Мегапікселів |
Роздільна здатність зображення | 4.92 Мегапікселів |
Ємність | 3000 маг |
Розмір дисплею | 6.2 Дюйма |
---|---|
Тип дисплею | ТФТ |
Площа екрану | 79.59% |
Щільність дисплею | 277 PPI |
Товщина | 7.8 мм |
Вага | 168 Грам |
Операційна система | Андроїд 9.0 Пиріг |
Soc | Медіатек Хеліо П22 (MT6762) |
Ядер Процесора | 8 Ядер |
Частота процесора | 2000 МГц |
ОЗП | 2 гігабайт |
ROM | 32 гігабайт |
Тип Датчика | КМОП (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник) |
Роздільна здатність зображення | 12.98 Мегапікселів |
Роздільна здатність зображення | 7.99 Мегапікселів |
Ємність | 4000 маг |